功能描述：MOSFET 2N-CH

制造商：texas instruments

系列：NexFET??

包装：剪切带（CT）

零件状态：有效

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：-

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：-

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：7.8nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：1.7W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFLGA

供应商器件封装：4-Picostar（1.31x1.31）

标准包装：1

CSD85312Q3E

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CSD86330EVM-717

CSD86330Q3D

CSD86350Q5D

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